Общественно-политическая газета
Сейчас в Баку 14:58

главная | политика | экономика | точка зрения | общество | за рубежом | культура | спорт
медицина | образование | история | простые вещи | телегазета | интервью | турклуб | за горизонтом | люди | очерк | природа

Молекулы позволят увеличить емкость флэш-памяти

21.11.2014   хроника  

Escudero, Leroy Cronin, Cronin Group, School of Chemistry, University of Glasgow Британские и испанские ученые предложили новые устройства для хранения памяти. В их основе лежат кластеры наноразмерных полиоксометаллатов. Использование нового материала позволяет существенно увеличить емкость обычной флэш-памяти. Это приводит к большей миниатюризации носителей информации, сообщают ученые в своей статье в журнале Nature.

Авторы предлагают заменить МОП-структуру, используемую в полупроводниках флэш-памяти, на кластеры полиоксометаллатов. В своей работе ученым удалось добиться ее успешного встраивания в память. Сама МОП-структура используется при производстве различных полупроводниковых приборов. Название является аббревиатурой от «металл-оксид-полупроводник», слои которых ее образуют.

Управление свойствами проводимости МОП-структуры осуществляется при помощи подачи напряжения на ее электрод (затвор). Идея ученых заключается в том, что они модифицировали оксидный слой МОП-структуры, добавив в него наноразмерные полиоксометаллаты.

Полиоксометаллаты представляют собой группу металлооксидных соединений кластерного типа с богатой геометрией, нередко выступающих в роли катализаторов благодаря их низкой чувствительности к присутствию окислителей. Ранее предложенные учеными добавки в МОП-структуру приводили к низкой электропроводности и нагреванию образца. Новые окислительные возможности в МОП-структуре и позволили увеличить объемы хранимой информации (ЛентаРу).

21.11.2014   хроника  

Просмотров: 130

Loading...



реклама

это интересно
Loading...